第五百八十一章：量子效應帶來的問題(第3頁)

比如作為柵極介電縮放和器件內電場增大的結果，反轉層中的載流子不再位於二氧化硅-硅界面，而是在下面某處，從而增加了有效介電層厚度。

這種效應在 CMOS 技術中已經存在一段時間了，等晶體管尺寸越來越小，未來肯定會有更多的量子效應發生。”

李由聽到這話時，也點頭附和道：“比如有些東西像體反轉，當我們開始討論非常薄的 Fi 器件，甚至是納米線，而不是表面反轉，器件會突然完全耗盡。

當我們打開它的時候，導線的中心會在邊緣之前反轉。這些都是很有趣的結果，但它背後的基理都是一樣的，簡直就像是老師您每個月給我們佈置的課題，看起來很簡單，但實操的時候卻總是意外頻生。”

顧青對此不置可否，他笑著反問道：“怎麼，這個月的題不會做了？”

雖然是笑著的，但李由作為一個有家室的成年人，在看到顧青的笑容時，都下意識心裡一緊。

“雖然很難，但學生會認真解決的。”

顧青輕輕擺手道：“硅基芯片都能做到5納米的程度，碳基也自然不會太難，只要你們把思路打開，別局限於過去的經驗，就肯定能解決。

還有你們自己內部也要有個良好的溝通交流氛圍，我畢竟不是全知全能的神，很多問題也在困擾著我。”

張天浩倒是想找顧青問下自己的作業問題，但是聽到顧青這麼說，也就控制住了自己。

顧青接著說道：“今天讓你們召集研發部門管理層和技術骨幹，也是為了公佈一件很重要的事，他們都到齊了沒？”

李由頷首：“除了外派的沒來，其餘人員已經在地下基地到齊了。”